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  • 武漢大學(xué)教授劉強(qiáng)：照
    照明色彩質(zhì)量研究進(jìn)展Recent Research Progress on Colour Quality of Lighting劉強(qiáng)武漢大學(xué)教授LIU Qiang Professor of Wuhan university
    59500
    guansheng2023-05-22 10:27
  • 升譜光電副總經(jīng)理林勝
    GaAs VCSEL 先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林勝寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.
    87800
    guansheng2023-05-22 10:10
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
    氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
    98500
    guansheng2023-05-22 10:07
  • 思體爾軟件技術(shù)支持工
    Critical aspects of deep-UV LED design and operation深紫外LED仿真設(shè)計(jì)及操作關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展茅艷琳蘇州思體爾軟件科技有限公司技術(shù)支持工程師Yanlin MaoTechnical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led.
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    guansheng2023-05-19 15:16
  • 香港科技大學(xué)副教授黃
    橫向和縱向-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黃文海香港科技大學(xué)副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
    87400
    guansheng2023-05-19 14:45
  • 中國(guó)電科首席科學(xué)家馮
    金剛石微波功率器件進(jìn)展Progress in Diamond Microwave Power Devices馮志紅中國(guó)電科首席科學(xué)家、中國(guó)電科13所研究員、專(zhuān)用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室常務(wù)副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute
    162300
    guansheng2023-05-19 14:37
  • 南昌大學(xué)教授王光緒：
    硅基LED照明技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用王光緒南昌大學(xué)教授WANG GuangxuProfessor of Nanchang University
    56100
    guansheng2023-05-19 13:49
  • 北控水務(wù)集團(tuán)技術(shù)管理
    污水處理廠深紫外消毒設(shè)計(jì)及應(yīng)用進(jìn)展Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants杜軍北控水務(wù)集團(tuán)技術(shù)管理部水務(wù)經(jīng)理Jon DUBeijing enterprise water group Limited
    83700
    guansheng2023-05-19 12:03
  • 天馬微電子秦鋒：Micr
    Micro-LED 顯示產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展與挑戰(zhàn)秦鋒天馬微電子集團(tuán)研發(fā)中心總經(jīng)理、Micro-LED研究院院長(zhǎng)QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.
    211900
    guansheng2023-05-19 09:53
  • 中國(guó)電子科技集團(tuán)首席
    SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展柏松中國(guó)電子科技集團(tuán)首席專(zhuān)家、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
    214800
    guansheng2023-05-19 09:39
  • 錦浪科技技術(shù)研究中心
    SiC功率器件在光伏逆變器中的應(yīng)用進(jìn)展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術(shù)研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    130600
    guansheng2023-05-19 09:07
  • 廈門(mén)大學(xué)張榮 教授:氮
    第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說(shuō)是其第一個(gè)較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時(shí)代的展開(kāi)，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報(bào)告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團(tuán)隊(duì)最新的多個(gè)研究發(fā)現(xiàn)和研究
    202700
    guansheng2022-09-10 15:43
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來(lái)了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報(bào)告；中科院外籍院士、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來(lái)了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告；廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展；大會(huì)主席、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來(lái)了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告，從技
    291500
    guansheng2022-09-10 15:38
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
    常見(jiàn)的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
    126900
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：
    半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來(lái),GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢(shì)，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問(wèn)題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    219000
    guansheng2022-09-09 15:50
  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過(guò)異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來(lái)制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長(zhǎng)問(wèn)題、詳細(xì)分
    180900
    guansheng2022-09-09 15:47
  • 中科院蘇州納米所孫錢(qián)
    硅基GaN電子器件研究進(jìn)展孫錢(qián)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    55400
    guansheng2022-09-01 13:42
  • 南京大學(xué)陳鵬：GaN基
    GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    54400
    guansheng2022-09-01 12:38
  • 清華大學(xué)汪萊：GaN基
    GaN基高速藍(lán)綠光Micro-LED研究進(jìn)展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學(xué)
    56900
    guansheng2022-09-01 11:30
  • 啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕
    第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    75200
    limit2022-05-01 17:19
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