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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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IFWS
2025-01-09 15:42
北京大學(xué)
沈波
教授:氮
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北京大學(xué)
沈波
教授:氮
以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底,氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延,特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸,影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中,結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細分
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guansheng
2022-09-09 15:47
沈波
:高質(zhì)量 AlN 單
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沈波
:高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波 教授 北京大學(xué)
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2022-01-11 17:23
許福軍:AlGaN基深紫
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許福軍:AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者:許福軍,沈波,單位:北京大學(xué)物理學(xué)院
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limit
2022-01-05 09:53
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