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  • 北京大學理學部副主任
    基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學理學部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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    IFWS2025-01-09 15:42
  • 北京大學沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分
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    guansheng2022-09-09 15:47
  • 沈波：高質(zhì)量 AlN 單
    《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波 教授 北京大學
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    limit2022-01-11 17:23
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學物理學院
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    limit2022-01-05 09:53
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