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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報(bào)告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場(chǎng)景是照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過(guò)對(duì)光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時(shí)對(duì)照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時(shí)也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢(shì)，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價(jià)怎么降低成本

蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院教授馮敏強(qiáng)在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應(yīng)用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，對(duì)GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過(guò)去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長(zhǎng)GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過(guò)工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過(guò)4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開(kāi)啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報(bào)告；他介紹說(shuō)，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實(shí)現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們?cè)谑┥蟻?lái)進(jìn)行一個(gè)類似納米柱上的生長(zhǎng)，做了一些研究，通過(guò)調(diào)整晶核生長(zhǎng)得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長(zhǎng)出來(lái)一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因?yàn)槭┦菃渭兊牟牧?，石墨烯生長(zhǎng)會(huì)受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會(huì)有一定的紊亂，加氮受到襯底的

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來(lái)了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展，讓與會(huì)代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過(guò)石墨機(jī)械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過(guò)渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來(lái)，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長(zhǎng)了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過(guò)商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長(zhǎng)。通過(guò)濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)水利與土木工程學(xué)院教授賀冬仙做了關(guān)于光強(qiáng)和LED光譜對(duì)水培菠菜生長(zhǎng)及品質(zhì)影響的報(bào)告。賀冬仙近10年來(lái)，以第一作者/通訊作者發(fā)表SCI/EI論文15篇，主持50萬(wàn)元以上的國(guó)家/省部級(jí)科研課題9項(xiàng)。取得授權(quán)發(fā)明專利7項(xiàng)、實(shí)用新型6項(xiàng)和軟件著作權(quán)9項(xiàng)。她的創(chuàng)新性成果及其學(xué)術(shù)價(jià)值包括：（1）圍繞珍稀瀕危藥用鐵皮石斛開(kāi)展了10多年以上光合生理研究，從氣體交換、電子傳遞、氣孔運(yùn)動(dòng)方面確立了CAM植物的環(huán)境生理研究方法，可擴(kuò)展到石斛屬、蘭科植物和其他藥用植物研究。（2）攻克了高光效人工光源、嵌入式組態(tài)化環(huán)境

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫(xiě)工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長(zhǎng)100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開(kāi)發(fā)了基于0.1um G

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問(wèn)題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國(guó)電子科技集團(tuán)公司首席專家，國(guó)際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專家，研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會(huì)帶來(lái)比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號(hào)而降低

英國(guó)布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報(bào)告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來(lái)的一些應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢(shì)頭很強(qiáng)勁，當(dāng)前，通訊、雷達(dá)等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來(lái)越多，而碳化硅上的氮化鎵也會(huì)有局限，開(kāi)發(fā)金剛石襯底是一個(gè)不錯(cuò)的嘗試。Martin KUBALL詳細(xì)分享了當(dāng)前開(kāi)發(fā)GaN-on-Diamon

西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報(bào)告。

廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，

鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授單崇新介紹了高質(zhì)量金剛石的CVD生長(zhǎng)。金剛石是自然界產(chǎn)生的最堅(jiān)硬的一種材料，因?yàn)樗鼧O高的硬度，一直被當(dāng)做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有應(yīng)用，日常生活以及工業(yè)生產(chǎn)中都能用到金剛石。除了高硬度以外，金剛石還有很多其他獨(dú)特的特點(diǎn)，很適合當(dāng)做半導(dǎo)體材料，比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導(dǎo)性等，這些特點(diǎn)使得金剛石一直被認(rèn)為是重要的，也是非常有潛力的下一代半導(dǎo)體器件的原料。把金剛石材料轉(zhuǎn)變成金剛石器件還有很長(zhǎng)的路要走，也需要很多高品質(zhì)的材料，這是非?；镜囊徊?。

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評(píng)價(jià)的報(bào)告，結(jié)合相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測(cè)試、以及利用MPCVD設(shè)備來(lái)進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實(shí)現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來(lái)制作金剛石射頻器件等研究成果。

北京農(nóng)業(yè)智能裝備技術(shù)研究中心陳曉麗分享了“LED紅藍(lán)交替光對(duì)生菜生長(zhǎng)及品質(zhì)的影響”研究報(bào)告。

中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)童勤分享了通過(guò)綠光LED調(diào)節(jié)雞蛋孵化研究報(bào)告。

北京大學(xué)東莞光電研究院生物光環(huán)境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用主題報(bào)告。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長(zhǎng)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問(wèn)題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來(lái)減輕基層的損害，但工作后沒(méi)有顯著的進(jìn)步。最常見(jiàn)的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長(zhǎng)基底層和發(fā)射極層。通過(guò)使用選擇

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢(shì)壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長(zhǎng)的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢(shì)壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

德國(guó)ALLOS Semiconductors GmbH市場(chǎng)總監(jiān)Alexander LOESING帶來(lái)“無(wú)碳摻雜GaN-on-Si大外延片實(shí)現(xiàn)低漏電流”報(bào)告。 “我們已經(jīng)在（111）硅襯底上通過(guò)MOVPE生長(zhǎng)了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經(jīng)通過(guò)增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時(shí)，已經(jīng)可以展示進(jìn)一步提高晶體質(zhì)量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過(guò)優(yōu)化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的