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博通集成就收購(gòu)半導(dǎo)體企業(yè)ADVEOS達(dá)成最終協(xié)議

入主后TCL科技再增持中環(huán)股份“光伏+半導(dǎo)體”雙主業(yè)還能釋放多少空間？

第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)！阿里達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)

小米取消贈(zèng)送充電器，氮化鎵充電器有望再度迎來(lái)風(fēng)口？

博藍(lán)特科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲上交所受理將重點(diǎn)拓展碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈

工信部開展2020年度重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用保險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制試點(diǎn)工作

2021年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額將增長(zhǎng)8.4%，行業(yè)并購(gòu)將繼續(xù)

2020年5G手機(jī)銷量占比將超75% 解決“缺芯”之痛需多舉措發(fā)力

漲價(jià)！8寸晶圓代工產(chǎn)能緊缺！看全球前十大晶圓代工廠都是誰(shuí)？

歐盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建立“攻守聯(lián)盟”

比亞迪明年有自己的SiC產(chǎn)線，車規(guī)級(jí)IGBT已到5代

許繼電氣、平高電氣?或劃歸中國(guó)西電集團(tuán)

宏微科技科創(chuàng)板IPO獲受理，擬募資5.58億元

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

沙特阿拉伯阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Iman S. ROQAN：原位無(wú)位錯(cuò)多晶GaN層在寬范圍襯底上生長(zhǎng)高效率的無(wú)催化劑GaN納米線

澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測(cè)系統(tǒng)在SiC生長(zhǎng)中的應(yīng)用

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科技部部長(zhǎng)王志剛：完善科技創(chuàng)新體制機(jī)制

南大光電自主研發(fā)第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠通過(guò)驗(yàn)證

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問(wèn)題研究

重慶大學(xué)曾正:碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問(wèn)題的研究

廈門大學(xué)邱宇峰教授：碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

英諾賽科謝文元：八英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

電子科技大學(xué)教授周琦：基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽(yáng)極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器

中國(guó)空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

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