亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码
新聞資訊
行業(yè)活動(dòng)
專題聚焦
招聘求職
資料下載
視頻
天岳先進(jìn)
長(zhǎng)電科技
華為
晶盛機(jī)電
產(chǎn)業(yè)基地
芯
半導(dǎo)體
賽微電子
首頁(yè)
新聞資訊
行業(yè)活動(dòng)
專題聚焦
招聘求職
資料下載
視頻
首頁(yè)
>
新聞資訊
>
搜索
綜合排序
最多點(diǎn)擊
最新發(fā)布
全部類別
技術(shù)
材料
產(chǎn)業(yè)
財(cái)經(jīng)
應(yīng)用
博通集成就收購(gòu)半導(dǎo)體企業(yè)ADVEOS達(dá)成最終協(xié)議
評(píng)論 ?
2020-12-29 10:35
入主后TCL科技再增持 中環(huán)股份“光伏+半導(dǎo)體”雙主業(yè)還能釋放多少空間?
評(píng)論 ?
2020-12-29 09:19
第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)!阿里達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)
評(píng)論 ?
2020-12-28 14:22
小米取消贈(zèng)送充電器,氮化鎵充電器有望再度迎來(lái)風(fēng)口?
小米
取消
充電器
氮化鎵
充電器
評(píng)論 ?
2020-12-28 09:30
博藍(lán)特科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲上交所受理 將重點(diǎn)拓展碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈
博藍(lán)特
科創(chuàng)板
IPO
PSS產(chǎn)品
碳化硅
襯底
產(chǎn)業(yè)鏈
評(píng)論 ?
2020-12-28 09:25
工信部開展2020年度重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用保險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制試點(diǎn)工作
工信部
重點(diǎn)新材料
首批次應(yīng)用
保險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制
試點(diǎn)工作
評(píng)論 ?
2020-12-28 09:11
2021年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額將增長(zhǎng)8.4%,行業(yè)并購(gòu)將繼續(xù)
評(píng)論 ?
2020-12-28 09:09
2020年5G手機(jī)銷量占比將超75% 解決“缺芯”之痛需多舉措發(fā)力
5G
手機(jī)
缺芯
評(píng)論 ?
2020-12-28 09:06
漲價(jià)!8寸晶圓代工產(chǎn)能緊缺!看全球前十大晶圓代工廠都是誰(shuí)?
評(píng)論 ?
2020-12-25 16:06
歐盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建立“攻守聯(lián)盟”
評(píng)論 ?
2020-12-25 12:13
比亞迪明年有自己的SiC產(chǎn)線,車規(guī)級(jí)IGBT已到5代
評(píng)論 ?
2020-12-24 17:40
許繼電氣、平高電氣?或劃歸中國(guó)西電集團(tuán)
評(píng)論 ?
2020-12-24 17:18
宏微科技科創(chuàng)板IPO獲受理,擬募資5.58億元
評(píng)論 ?
2020-12-24 16:59
日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA:超窄體(UNB)MOSFET和接地窄而深p(GND)MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)
評(píng)論 ?
2020-12-23 15:28
沙特阿拉伯阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Iman S. ROQAN:原位無(wú)位錯(cuò)多晶GaN層在寬范圍襯底上生長(zhǎng)高效率的無(wú)催化劑GaN納米線
評(píng)論 ?
2020-12-23 15:27
澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN:4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
評(píng)論 ?
2020-12-23 15:25
日本名古屋大學(xué)宇治原徹:CFD模擬預(yù)測(cè)系統(tǒng)在SiC生長(zhǎng)中的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2020-12-23 15:22
IGBT龍頭斯達(dá)半導(dǎo)擬投資2.29億元布局碳化硅賽道
評(píng)論 ?
2020-12-23 11:56
科技部部長(zhǎng)王志剛:完善科技創(chuàng)新體制機(jī)制
評(píng)論 ?
2020-12-23 10:58
南大光電自主研發(fā)第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠通過(guò)驗(yàn)證
評(píng)論 ?
2020-12-18 12:27
中電科55所李士顏博士:碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2020-12-17 17:54
深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗:抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)
評(píng)論 ?
2020-12-17 17:49
華北電力大學(xué)李學(xué)寶:高壓SiC器件中的封裝絕緣問(wèn)題研究
評(píng)論 ?
2020-12-17 17:44
重慶大學(xué)曾正:碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)
評(píng)論 ?
2020-12-17 17:39
浙江大學(xué)任娜:SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問(wèn)題的研究
評(píng)論 ?
2020-12-17 17:27
廈門大學(xué)邱宇峰教授:碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2020-12-17 17:17
中山大學(xué)黎城朗:凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究
評(píng)論 ?
2020-12-16 18:30
英諾賽科謝文元:八英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
評(píng)論 ?
2020-12-16 18:26
電子科技大學(xué)教授周琦:基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽(yáng)極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器
評(píng)論 ?
2020-12-16 18:23
中國(guó)空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖:寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)
評(píng)論 ?
2020-12-16 18:20
第
498
頁(yè)/共
577
頁(yè)
首頁(yè)
下一頁(yè)
上一頁(yè)
尾頁(yè)
聯(lián)系客服
投訴反饋
頂部