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格蘭菲申請功率半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

臻驅(qū)半導體施工總承包項目廠房主體結(jié)構(gòu)順利封頂

提前4個月！“芯廬州”集成電路產(chǎn)業(yè)園（一期）項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

晶合集成申請一種半導體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導體結(jié)構(gòu)的良率

威邁芯材年產(chǎn)100噸半導體高端光刻材料項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

上海積塔半導體申請半導體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

三責新材二期半導體設(shè)備用高精度結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)業(yè)化項目廠房封頂

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

盛合晶微半導體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

中圖科技申請一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導體襯底及其制備方法專利

蘇州晶湛半導體取得半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

利普思半導體“一種功率模塊結(jié)構(gòu)”專利公布

豪緯集團申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

揚州晶圓級芯粒先進封裝基地項目主體結(jié)構(gòu)封頂

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

年產(chǎn)18億片！晶引電子項目一期完成主體結(jié)構(gòu)驗收

總投資1.5億元，諾天科技碳化硅半導體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項目主體結(jié)構(gòu)封頂

北京大學申請金剛石基氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評估結(jié)果準確度

光來精密電子項目月底前主體結(jié)構(gòu)就可實現(xiàn)全部封頂

“芯廬州”集成電路產(chǎn)業(yè)園一期項目主體結(jié)構(gòu)封頂

拓荊科技半導體先進工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目結(jié)構(gòu)封頂

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機理研究

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

捷捷微電子“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專利公布

宏微科技取得電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

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