亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

大橙光電新能源汽車光源燈具項目有序推進，主體結(jié)構(gòu)預(yù)計3月底封頂

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗方法”專利公布

日月光半導(dǎo)體取得一種封裝結(jié)構(gòu)專利，簡化了制造工藝

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

漢道精密年加工1.8億件半導(dǎo)體零部件項目混凝土主體結(jié)構(gòu)全部封頂

南京郵電大學(xué)研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

成都士蘭半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

總投資27.75億元！科大硅谷高新孵化園一期主體結(jié)構(gòu)完成全面封頂

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

優(yōu)煒芯紫外LED產(chǎn)業(yè)基地項目一期主體結(jié)構(gòu)封頂

芯聯(lián)集成“一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

順義第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項目（二期）主體結(jié)構(gòu)順利封頂

芯谷第三代半導(dǎo)體設(shè)備項目主體結(jié)構(gòu)正式封頂

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

聯(lián)華電子申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

安徽長飛先進半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

總投資30億黃埔這一半導(dǎo)體項目主體結(jié)構(gòu)將迎來全面封頂

長鑫存儲申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

復(fù)旦微電子學(xué)院季力教授團隊在金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)的光催化水裂解電極方向取得成果

第1頁/共5頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部