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中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

北大許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)研究員雷光寅受邀將出席2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇并做主題報(bào)告

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

貴州集成電路設(shè)計(jì)研究院揭牌華大九天、貴州大學(xué)等合建

貴州集成電路設(shè)計(jì)研究院正式揭牌

歐盟委員會(huì)批準(zhǔn)為半導(dǎo)體研究項(xiàng)目提供80億歐元公共資金補(bǔ)貼

廣汽研究院將率先搭載應(yīng)用中興通訊車(chē)規(guī)級(jí)5G模組，首款搭載車(chē)型預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)教育發(fā)展研究院”正式成立

中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)、歐洲科學(xué)院院士王中林：第三代半導(dǎo)體的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)最新進(jìn)展

美國(guó)國(guó)家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導(dǎo)體和射頻電子研究進(jìn)展

英飛凌牽頭歐洲聯(lián)合研究計(jì)劃預(yù)算6000萬(wàn)歐元發(fā)力氮化鎵功率器件

保定第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院正式成立

陜西征集集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展研究課題承擔(dān)單位

廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

【CASICON 2023】中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

【CASICON 2023】中南大學(xué)孫國(guó)遼博士：高性能功率器件封裝互連方法研究進(jìn)展

【CASICON 2023】中電科第四十八研究所鞏小亮：碳化硅芯片制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

中電科第四十八研究所鞏小亮受邀將出席2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇并作大會(huì)報(bào)告

半導(dǎo)體所在氮化物材料外延研究中取得新進(jìn)展

華大九天科技副總經(jīng)理朱能勇：基于第三代半導(dǎo)體技術(shù)的EDA方法研究與應(yīng)用

中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長(zhǎng)BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測(cè)

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所招賢納士！

武進(jìn)南京大學(xué)未來(lái)技術(shù)創(chuàng)新研究院?jiǎn)?dòng)建設(shè)，將瞄準(zhǔn)先進(jìn)材料等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域

簡(jiǎn)述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測(cè)研究

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