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成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

日本政府為電裝-富士電機(jī)聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計(jì)劃投資705億日元

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測(cè)智能柵極驅(qū)動(dòng)器

嘉興斯達(dá)擬投15億元建設(shè)12英寸功率產(chǎn)線

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瑞能北京 9.26億元6英寸功率半導(dǎo)體擴(kuò)建項(xiàng)目驗(yàn)收

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

Victor Veliadis教授：加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進(jìn)程

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍(lán)光激光器

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團(tuán)隊(duì)研究進(jìn)展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室丁祥金：建設(shè)面向全國(guó)的公共、開放、共享的平臺(tái)，共創(chuàng)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

2024寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖研討會(huì)成功舉行

觀點(diǎn)集錦 | 功率模塊與電源技術(shù)應(yīng)用峰會(huì)專家齊聚探討新進(jìn)展——IFWS&SSLCHINA2024

定檔！2024功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇將在重慶召開

國(guó)宇電子功率器件項(xiàng)目簽約揚(yáng)州

寶士曼功率半導(dǎo)體項(xiàng)目明年投產(chǎn)

湖南三安半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

從安森美幾款硬核功率產(chǎn)品，洞悉最新技術(shù)趨勢(shì)

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)日程出爐

功率模塊與電源技術(shù)應(yīng)用峰會(huì)日程出爐 | IFWS 2024

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