亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

總投資10億元，民翔半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目一期投產(chǎn)！

SIA發(fā)布關(guān)于拜登政府對中國芯片產(chǎn)業(yè)啟動(dòng)301條款調(diào)查的聲明

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

EDA工具供應(yīng)商華芯盛完成數(shù)千萬元戰(zhàn)略投資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

商務(wù)部新聞發(fā)言人就美對中國芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策發(fā)起301調(diào)查發(fā)表談話

東湖高新區(qū)綜合評價(jià)居國家高新區(qū)第六位

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請

突發(fā)！拜登政府對中國成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導(dǎo)體項(xiàng)目封頂

5億！這一激光項(xiàng)目年產(chǎn)1億顆激光芯片

3億元！又一半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約！

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目，明年開工建設(shè)

創(chuàng)銳光譜獲近億元Pre-A輪融資

為什么要對電動(dòng)汽車供電設(shè)備實(shí)施強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證？

東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)”

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

美國商務(wù)部批準(zhǔn)SK海力士提供4.58億美元《芯片法案》補(bǔ)貼

第23頁/共510頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部