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納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利,提升電路性能
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2024-12-24 15:54
總投資7.5億元,星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)
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2024-12-24 15:10
總投資10億元,民翔半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目一期投產(chǎn)!
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2024-12-24 15:08
SIA發(fā)布關(guān)于拜登政府對中國芯片產(chǎn)業(yè)啟動(dòng)301條款調(diào)查的聲明
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2024-12-24 14:32
晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資
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2024-12-24 13:52
EDA工具供應(yīng)商華芯盛完成數(shù)千萬元戰(zhàn)略投資
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2024-12-24 13:40
華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)
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2024-12-24 11:28
商務(wù)部新聞發(fā)言人就美對中國芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策發(fā)起301調(diào)查發(fā)表談話
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2024-12-24 11:24
東湖高新區(qū)綜合評價(jià)居國家高新區(qū)第六位
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2024-12-24 10:34
士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)
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2024-12-24 10:34
捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布
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2024-12-24 10:33
派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布
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2024-12-24 10:32
天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請
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2024-12-24 08:33
突發(fā)!拜登政府對中國成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查
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2024-12-23 22:51
華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利,使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻
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2024-12-23 16:54
唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)
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2024-12-23 16:36
總投資12億!晶益通半導(dǎo)體項(xiàng)目封頂
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2024-12-23 16:35
5億!這一激光項(xiàng)目年產(chǎn)1億顆激光芯片
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2024-12-23 16:32
3億元!又一半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約!
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2024-12-23 16:29
鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利,能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境
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2024-12-23 15:15
廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利,解決圖形化襯底均一性降低問題
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2024-12-23 15:14
萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利,保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響
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2024-12-23 15:02
總投資3億元!合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目,明年開工建設(shè)
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2024-12-23 11:11
創(chuàng)銳光譜獲近億元Pre-A輪融資
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2024-12-23 10:45
為什么要對電動(dòng)汽車供電設(shè)備實(shí)施強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證?
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2024-12-23 10:41
東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)”
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2024-12-23 08:17
上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利,提升材料抗氧化性
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2024-12-20 16:05
南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利,解決氮化鎵采取和附著問題,提高產(chǎn)量
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2024-12-20 16:01
浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利,大大提高氮化鎵傳感器的制備效率
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2024-12-20 15:59
美國商務(wù)部批準(zhǔn)SK海力士提供4.58億美元《芯片法案》補(bǔ)貼
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2024-12-20 15:52
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