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一文了解金剛石半導(dǎo)體

南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

簡(jiǎn)述晶圓級(jí)多層堆疊封裝技術(shù)

研究人員利用氮化鎵開(kāi)發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯(cuò)和失配位錯(cuò)

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線(xiàn)可靠生長(zhǎng)集成

面向可重構(gòu)整流電路的互補(bǔ)型柵控PN結(jié)電路研究

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高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車(chē)載充電機(jī)設(shè)計(jì)

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)方法

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)選擇性生長(zhǎng)方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

打破電動(dòng)汽車(chē)“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級(jí)？

二維金剛石的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)若干進(jìn)展

中科院合肥研究院安光所團(tuán)隊(duì)在高分辨率激光外差光譜技術(shù)研究方面取得新進(jìn)展

高導(dǎo)熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進(jìn)展

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)

新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

我國(guó)科學(xué)家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號(hào)模型

上海交大制冷所研究團(tuán)隊(duì)在高效彩色太陽(yáng)能光伏電池板研究中取得新進(jìn)展

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

EUV光刻機(jī)在3nm的新挑戰(zhàn)

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