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標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測(cè)試方法形成委員會(huì)草案

日期:2025-04-07 閱讀:212
核心提示:2025年4月2日,由奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司牽頭起草的T/CASAS 053202X《氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試 腐蝕坑法》以及由中國(guó)科

 2025年4月2日,由奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司牽頭起草的T/CASAS 053—202X《氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試 腐蝕坑法》以及由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭起草的T/CASAS 054—202X《氮化鋁拋光片吸收系數(shù)測(cè)試方法》2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案(CD),2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序,反復(fù)斟酌、修改、編制而成,根據(jù)CASAS相關(guān)管理辦法,現(xiàn)面向CASAS正式成員發(fā)起委員會(huì)草案投票,截止時(shí)間2025年4月17日。請(qǐng)聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件。

非聯(lián)盟成員及聯(lián)盟普通成員如有需要,可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。

(來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟)

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