當(dāng)前，8英寸碳化硅晶圓智能制造圍繞工藝升級、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同和成本優(yōu)化等方向發(fā)展，技術(shù)突破與規(guī)?；瘧?yīng)用將推動產(chǎn)業(yè)從“產(chǎn)能擴(kuò)張”向“高質(zhì)量交付”轉(zhuǎn)型，加速新能源、通信等領(lǐng)域的低碳化進(jìn)程‌。

2月27日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，重慶大學(xué)、 重慶郵電大學(xué)、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司等單位協(xié)辦。 

28日精彩繼續(xù)，“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”，圍繞8英寸晶體、外延及器件技術(shù) 大規(guī)模生產(chǎn)制造、關(guān)鍵耗材及制造工藝優(yōu)化，關(guān)鍵材料及工藝裝備、器件及可靠性設(shè)計，SiC 器件設(shè)計及產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用等主題，來自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高校科研院所及知名企業(yè)二十余位代表共同深入探討，追蹤最新進(jìn)展。

杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長孔令沂，山東山大華天科技集團(tuán)股份有限公司總工程師遲恩先，浙江大學(xué)特聘研究員任娜，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心總師、動力系統(tǒng)業(yè)務(wù)單元負(fù)責(zé)人劉朝輝，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司技術(shù)副總許志維，重慶郵電大學(xué)教授、華潤微電子（重慶）有限公司技術(shù)專家陳偉中聯(lián)袂主持了本次論壇。

杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長孔令沂

湖南三安半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理高玉強(qiáng)做了“高質(zhì)量8英寸碳化硅單晶材料技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)”的主題報告，報告指出，目前三安8英寸碳化硅單晶材料的質(zhì)量指標(biāo)已經(jīng)與6寸量產(chǎn)指標(biāo)持平甚至超越。

賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司CTO、副總經(jīng)理吳厚政做了“精細(xì)石墨元件：化合物半導(dǎo)體高質(zhì)量產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵支撐”的主題報告。詳細(xì)闡述了精細(xì)石墨在復(fù)合半導(dǎo)體制造、產(chǎn)品設(shè)計以及等石墨結(jié)構(gòu)分析中的應(yīng)用，重點介紹了碳材料產(chǎn)品設(shè)計的關(guān)鍵控制點，重點關(guān)注產(chǎn)品設(shè)計理念和基本產(chǎn)品功能的選擇，先進(jìn)碳材料的發(fā)展趨勢和行業(yè)內(nèi)的當(dāng)前產(chǎn)業(yè)實踐，以及利用精細(xì)石墨技術(shù)開發(fā)的新產(chǎn)品在化合物半導(dǎo)體工藝中的示范應(yīng)用等。

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司SiC外研工藝技術(shù)經(jīng)理胡偉杰做了”SiC外延裝備技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)協(xié)同”的主題報告，降低成本是SiC領(lǐng)域的重要訴求，對外延設(shè)備帶來更高挑戰(zhàn)，報告詳細(xì)分享了SiC外延市場分析及挑戰(zhàn)、SiC材料外延裝備解決方案等最新進(jìn)展。

南方科技大學(xué)副教授葉懷宇做了”碳化硅器件封裝和失效分析“的主題報告，分享了相關(guān)研究成果與進(jìn)展。

合肥陽光電動力科技有限公司電控硬件主管萬富翔做了”新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用“的主題報告，分享了目前市場發(fā)展背景和趨勢，新一代功率器件并聯(lián)平臺的特點，及驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)最新進(jìn)展及研究成果。

重慶大學(xué)教授曾正做了“車用碳化硅功率器件：機(jī)遇與挑戰(zhàn)”的主題報告，詳細(xì)闡述了車用碳化硅功率器件的行業(yè)需求、應(yīng)用現(xiàn)狀、技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢，為下一代車用碳化硅功率器件的研發(fā)與應(yīng)用提供參考。

浙江大學(xué)特聘研究員任娜做了“基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管及其光電特性”的主題報告，分享了最新研究成果，研究基于該p型襯底和外延材料研制出了JBS器件，并深入探討了器件的雪崩特性、電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)以及光電特性等。

河南中宜創(chuàng)新芯發(fā)展有限公司董事長孫毅做了“碳化硅半導(dǎo)體粉體進(jìn)展”的主題報告，分享了相關(guān)進(jìn)展趨勢，報告指出，我國碳化硅材料產(chǎn)業(yè)迎來“百團(tuán)大戰(zhàn)”，需要合理競爭，建立良性產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加強(qiáng)行業(yè)合作，推動國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司技術(shù)副總許志維介紹了三安半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)展，包括三安SiC MOSFET技術(shù)平臺以及后續(xù)規(guī)劃與技術(shù)難題等。涉及8吋襯底&外延產(chǎn)品路線圖，SiC分立器件和模塊技術(shù)路線等。

重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體CTO王曉做了“納米銅燒結(jié)：功率器件封裝互聯(lián)技術(shù)的新篇章”的主題報告，介紹了相關(guān)研究進(jìn)展。

臺達(dá)電子企業(yè)管理（上海）有限公司綠能汽車電源設(shè)計部電子設(shè)計副經(jīng)理王小磊做了“第三代功率半導(dǎo)體在車載電源中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)”的主題報告，分享了新能源汽車市場狀況，功率半導(dǎo)體在車載電源中的應(yīng)用及挑戰(zhàn)等。

重慶大學(xué)研究員蔣華平做了“碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移”的主題報告，針對2022年特斯拉Model 3召回事件從器件本體和電路回路參數(shù)差異兩個方面展開分析，揭示碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移規(guī)律及其背后的物理機(jī)理，并提出相應(yīng)的解決方法。

?？怂构I(yè)有限公司總裁李杰做了“AI賦能半導(dǎo)體制造生態(tài)”的主題報告，剖析AI技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢，并結(jié)合?？怂棺灾餮邪l(fā)的核心技術(shù)，賦能半導(dǎo)體智能制造，特別是在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，解決產(chǎn)業(yè)在智能化過程中出現(xiàn)的痛點及難點，為國內(nèi)功率半導(dǎo)體智能制造領(lǐng)域提供解決方案。 

中南大學(xué)教授汪煉成做了“功率半導(dǎo)體模塊關(guān)鍵互連集成研究”的主題報告，介紹課題組在功率模塊互連工藝和技術(shù)方面研究，包括納米銀燒結(jié)機(jī)理與致密化工藝研究，BGA-雙面散熱模塊互連，凸臺式襯板互連，銅夾互連等，實現(xiàn)倒裝焊接BGA+納米銀燒結(jié)雙面功率模塊，倒裝Spacer 雙面功率模塊，凸臺式DBC功率模塊封裝。

山東大學(xué)副研究員鐘宇做了“高功率碳化硅肖特基二極管技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”的主題報告，分享山東大學(xué)團(tuán)隊研發(fā)的碳化硅肖特基二極管工藝，最高能夠承受5000V電壓，單管正向電流高達(dá)200A。

芯弦半導(dǎo)體系統(tǒng)應(yīng)用總監(jiān)王昊做了“實時控制MCU國產(chǎn)化現(xiàn)狀及趨勢”的主題報告，分享了最新趨勢進(jìn)展。

華潤微電子產(chǎn)品線高級總監(jiān)馬榮耀做了“SiC MOS技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動行業(yè)變革”的主題報告，介紹SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，目前華潤微在SiC產(chǎn)品技術(shù)上的突破和思考以及新SiC產(chǎn)品在應(yīng)用方案上的表現(xiàn)。

國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心總師、動力系統(tǒng)業(yè)務(wù)單元負(fù)責(zé)人劉朝輝做了“碳化硅芯片先進(jìn)封裝和熱管理關(guān)鍵技術(shù)”的主題報告，結(jié)合市場發(fā)展背景和趨勢，分享了最新技術(shù)進(jìn)展。

泰克科技大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣做了“從參數(shù)測試道可靠性驗證 新型功率器件的特性表征”的主題報告。報告分享了相關(guān)研究進(jìn)展，并指出當(dāng)前WBG功率器件面臨諸多挑戰(zhàn)，其中SiC MOSFET 的可靠性問題涉及SiC的柵氧化層可靠性(外在缺陷的測試、SiC的(動態(tài))閾值電壓漂移(BTI)、SiC MOSFET 在高 dv/dt 條件下的可靠性問題。應(yīng)用端可靠性問題涉及失效機(jī)理不清晰，需要在真實應(yīng)用場景下加速測試等。

山東山大華天科技集團(tuán)股份有限公司總工程師遲恩先做了“SiC器件在電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能一體化裝置中的應(yīng)用”的主題報告，剖析SiC器件面臨的諸多問題、應(yīng)用展望以及探索。并提出了相應(yīng)的解決方案，報告指出SiC器件的應(yīng)用，驅(qū)動設(shè)計十分重要，尤其應(yīng)注意合理布線。

重慶郵電大學(xué)教授、華潤微電子（重慶）有限公司技術(shù)專家陳偉中做了“SiC MOSFET器件設(shè)計與集成技術(shù)”的主題報告，分享了相關(guān)進(jìn)展與趨勢。

論壇期間，浙江大學(xué)特任研究員任娜主持下，圍繞著“8英寸碳化硅制造供應(yīng)鏈最大的挑戰(zhàn)在哪個技術(shù)環(huán)節(jié)? ”、“目前SiC行業(yè)陷入價格內(nèi)卷，產(chǎn)業(yè)如何才能健康發(fā)展？”、“ 新能源汽車和光伏之后，下一個應(yīng)用突破口會是什么？”等熱門話題， 山大華天副總經(jīng)理遲恩先、國家新能源汽車創(chuàng)新中心總師劉朝輝 、南砂晶圓副總經(jīng)理于國建、賽邁科副總CTO 吳厚政等嘉賓與與現(xiàn)場觀眾展開探討，分享現(xiàn)場氣氛熱烈。

（論壇內(nèi)容詳情，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號）