近日，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司連續(xù)完成A2輪、A3輪合計(jì)近5億元融資，主要投資方包含寧波通商基金、寧波勇誠資管、上海半導(dǎo)體裝備材料產(chǎn)業(yè)投資基金、南京創(chuàng)投、山證創(chuàng)新、坤泰資本等。此次融資的順利完成不僅彰顯了資本市場對(duì)派恩杰技術(shù)實(shí)力與市場前景的高度認(rèn)可，更標(biāo)志著派恩杰在碳化硅產(chǎn)業(yè)升級(jí)浪潮中已搶占關(guān)鍵身位，即將開啟發(fā)展性的新篇章。

派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

當(dāng)前，碳化硅行業(yè)正處于技術(shù)迭代與市場格局重塑的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期。派恩杰憑借扎實(shí)的技術(shù)積累、清晰的戰(zhàn)略布局及已驗(yàn)證的產(chǎn)業(yè)化能力，獲得了新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源等各領(lǐng)域客戶的高度認(rèn)可。此次融資資金將重點(diǎn)用于研發(fā)投入、供應(yīng)鏈建設(shè)及全球化市場布局等，著力提升派恩杰產(chǎn)品在性能、可靠性及成本控制等方面的綜合競爭力。此次近5億元融資的完成為派恩杰半導(dǎo)體的長遠(yuǎn)布局提供了關(guān)鍵支撐，派恩杰的產(chǎn)業(yè)布局將會(huì)重點(diǎn)圍繞技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)化、客戶服務(wù)三大主線展開。

作為滬浙高水平合作發(fā)展區(qū)，寧波前灣新區(qū)以其完善的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈配套與政策賦能體系，成為派恩杰高速發(fā)展的戰(zhàn)略支點(diǎn)。自2024年下半年開始，派恩杰從辦公、研發(fā)等重心開始逐步向?qū)幉ㄇ盀侈D(zhuǎn)移。此次遷移不僅是地理位置的遷移，更是產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值的深度整合。通過與寧波新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能家電等產(chǎn)業(yè)集群的協(xié)同創(chuàng)新，快速響應(yīng)客戶需求，將技術(shù)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為市場優(yōu)勢(shì)。

搶占技術(shù)制高點(diǎn),6英寸向8英寸迭代的產(chǎn)業(yè)突圍

隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等市場對(duì)碳化硅器件的需求激增，全球產(chǎn)業(yè)正加速從6英寸向8英寸晶圓制造演進(jìn)。相較主流6英寸工藝，8英寸技術(shù)可使單位芯片成本降低超30%，8英寸晶圓厚度的增加將有效減少晶圓翹曲、降低缺陷密度，能夠推動(dòng)碳化硅產(chǎn)品更加廣泛的市場應(yīng)用。

派恩杰通過與代工廠COT（Customer Owned Technology）模式的深度合作，已構(gòu)建覆蓋器件設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)、量產(chǎn)管控的全鏈條技術(shù)體系。為搶占布局8英寸技術(shù)，派恩杰已完成多個(gè)關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng)新，把握技術(shù)的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。預(yù)計(jì)2025年第四季度，公司8英寸碳化硅將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)品性價(jià)比優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步凸顯，為客戶提供更具競爭優(yōu)勢(shì)的解決方案。

定義未來標(biāo)準(zhǔn)先進(jìn)封裝技術(shù)面對(duì)系統(tǒng)集成化與高功率密度需求，派恩杰已率先布局新一代碳化硅封裝技術(shù) —— 兼容嵌入式PCB封裝方案，作為當(dāng)前碳化硅（SiC）功率模塊領(lǐng)域的重要技術(shù)方向，通過深度融合SiC器件特性與先進(jìn)封裝工藝，解決傳統(tǒng)封裝中雜散電感高、散熱效率低等問題，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有PCB工藝的無縫兼容，從而最大化發(fā)揮SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)。嵌入式PCB封裝技術(shù)更是為新能源、電動(dòng)汽車等高頻高功率應(yīng)用場景提供了關(guān)鍵的可靠解決方案，技術(shù)演進(jìn)也將持續(xù)圍繞“更低電感、更高集成、更強(qiáng)可靠”展開，或?qū)⒊蔀镾iC產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)力之一。