2月9日，中國電科官方宣布，其所屬的48所成功實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計(jì)30臺(tái)套。這一突破標(biāo)志著中國在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入了新的活力。

SiC（碳化硅）外延設(shè)備是第三代半導(dǎo)體器件制造的核心關(guān)鍵設(shè)備之一。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC材料具有耐高溫、耐高壓和高導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、航空航天等領(lǐng)域。

然而，由于技術(shù)門檻高、設(shè)備復(fù)雜，SiC外延設(shè)備的研制和產(chǎn)業(yè)化一直是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的難題。中國電科48所歷時(shí)多年，攻克了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了SiC外延設(shè)備的自主研發(fā)和量產(chǎn)。

此次發(fā)貨的30臺(tái)套設(shè)備不僅在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)了首次大規(guī)模批量交付，而且已累計(jì)出貨百余臺(tái)套，并在客戶現(xiàn)場(chǎng)穩(wěn)定運(yùn)行。這一成績(jī)的取得，標(biāo)志著中國在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域已具備較強(qiáng)的國際競(jìng)爭(zhēng)力。

此外，中國電科48所還注重設(shè)備的智能化和自動(dòng)化設(shè)計(jì)，引入了先進(jìn)的AI算法，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化控制。這些創(chuàng)新不僅提升了設(shè)備的生產(chǎn)效率，還大幅降低了設(shè)備的維護(hù)成本，為用戶提供了更高的性價(jià)比。