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重慶安意法項(xiàng)目“點(diǎn)亮”在即,2月底通線投片

日期:2025-02-07 閱讀:299
核心提示:在剛落幕的重慶市第六屆人民代表大會(huì)第三次會(huì)議上,重慶市政府工作報(bào)告回顧了2024年的經(jīng)濟(jì)發(fā)展成果:地區(qū)生產(chǎn)總值增長(zhǎng)5.5%,固定

 在剛落幕的重慶市第六屆人民代表大會(huì)第三次會(huì)議上,重慶市政府工作報(bào)告回顧了2024年的經(jīng)濟(jì)發(fā)展成果:地區(qū)生產(chǎn)總值增長(zhǎng)5.5%,固定資產(chǎn)投資提升4.5%,社會(huì)消費(fèi)品零售總額增長(zhǎng)7%,進(jìn)出口總額提高5%。其中,西部(重慶)科學(xué)城的發(fā)展尤為引人關(guān)注??茖W(xué)城聚焦數(shù)字經(jīng)濟(jì)、生命健康等前沿領(lǐng)域,初步構(gòu)建了高附加值產(chǎn)業(yè)體系,大批高新技術(shù)企業(yè)的蓬勃發(fā)展正驅(qū)動(dòng)全市經(jīng)濟(jì)實(shí)現(xiàn)新的增長(zhǎng)。

在這一背景下,由重慶三安半導(dǎo)體與安意法半導(dǎo)體聯(lián)合建設(shè)的重慶三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目成為焦點(diǎn)。該項(xiàng)目分為芯片廠和襯底廠兩大部分,集碳化硅襯底、外延、芯片研發(fā)、制造與銷售于一體,同時(shí)作為車規(guī)級(jí)功率芯片制造企業(yè),也承擔(dān)起為其提供碳化硅襯底材料的重要任務(wù)。

目前,該項(xiàng)目已達(dá)到“點(diǎn)亮”條件,按照現(xiàn)有推進(jìn)速度,預(yù)計(jì)在2025年2月底實(shí)現(xiàn)通線投片生產(chǎn),并有望在三季度末啟動(dòng)大批量生產(chǎn)。

項(xiàng)目概況與進(jìn)展

整體規(guī)劃與投資規(guī)模

重慶三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資約300億元,旨在構(gòu)建涵蓋襯底、外延、芯片全流程的一體化生產(chǎn)平臺(tái),打造全球最大的8英寸碳化硅垂直整合制造基地。達(dá)產(chǎn)后,項(xiàng)目預(yù)計(jì)年?duì)I收可達(dá)170億元。

合資項(xiàng)目細(xì)節(jié)

合資部分總投資32億美元(約228億元),由重慶三安持股51%,安意法持股49%。規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后,合資公司將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)48萬(wàn)片8英寸車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片的產(chǎn)能。自2024年7月啟動(dòng)設(shè)備安裝調(diào)試以來(lái),建設(shè)進(jìn)度穩(wěn)步推進(jìn),項(xiàng)目目前已進(jìn)入“點(diǎn)亮”階段。

生產(chǎn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

項(xiàng)目建設(shè)的重點(diǎn)在于整合8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅襯底、外延及芯片的研發(fā)制造,目標(biāo)為全球新能源汽車及工業(yè)電力市場(chǎng)提供高性能SiC解決方案。目前,理想汽車、陽(yáng)光電源等知名客戶已被鎖定,顯示出項(xiàng)目在車規(guī)級(jí)芯片代工領(lǐng)域的重要戰(zhàn)略意義。

未來(lái)發(fā)展前景

安意法的碳化硅戰(zhàn)略以技術(shù)自主化、產(chǎn)能規(guī)?;褪袌?chǎng)全球化為核心,通過(guò)全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合、與國(guó)際巨頭合作以及政策與資本的支持,迅速搶占新能源汽車和能源革命帶來(lái)的增量市場(chǎng)。預(yù)計(jì)2025年將成為8英寸產(chǎn)能釋放的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),而到2028年合資項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后,公司有望躋身全球碳化硅第一梯隊(duì),成為國(guó)產(chǎn)替代與全球競(jìng)爭(zhēng)的雙重標(biāo)桿。

附:項(xiàng)目主要數(shù)據(jù)

項(xiàng)目地點(diǎn):重慶西部(重慶)科學(xué)城建設(shè)內(nèi)容:集襯底、外延、芯片全流程制造于一體總投資額:300億元合資投資:32億美元(約228億元),三安持股51%,意法持股49%規(guī)劃產(chǎn)能:年產(chǎn)48萬(wàn)片8英寸車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片建設(shè)進(jìn)度:2024年7月啟動(dòng)設(shè)備安裝調(diào)試,2025年2月底實(shí)現(xiàn)通線投片,三季度末大批量生產(chǎn)就業(yè)效益:項(xiàng)目將為當(dāng)?shù)馗咝录夹g(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力 

(來(lái)源:半導(dǎo)體信息)

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