碳化硅具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)異的物理化學(xué)性能，在電動(dòng)汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G 通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用潛力。生長大直徑、高結(jié)晶質(zhì)量、低缺陷密度的4H-SiC單晶是實(shí)現(xiàn)SiC器件應(yīng)用的關(guān)鍵。近年來，在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。
2024年6月21至23日，“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開，將邀請新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席，共同研討新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
山東大學(xué)/副教授、山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司/技術(shù)總監(jiān)楊祥龍受邀將出席會(huì)議，并做《碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展》的主題報(bào)告，當(dāng)前SiC單晶材料兩個(gè)重要的發(fā)展趨勢：一是擴(kuò)大晶圓尺寸，使得單片襯底的器件數(shù)目增加，降低成本；二是降低缺陷密度，提升良率。8英寸SiC襯底在降低器件單位成本、增加產(chǎn)能供應(yīng)方面擁有巨大的潛力，成為行業(yè)重要的技術(shù)演化方向。報(bào)告將主要介紹廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司聯(lián)合山東大學(xué)近期大尺寸SiC單晶襯底的研究進(jìn)展。
楊祥龍，山東大學(xué)副教授、博導(dǎo)，任山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)總監(jiān)，山東省泰山學(xué)者青年專家。長期從事寬禁帶半導(dǎo)體SiC晶體生長和缺陷分析研究，擁有豐富的單晶生長及缺陷研究的理論基礎(chǔ)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。主持和參與多項(xiàng)國家和省部級科研項(xiàng)目，發(fā)表論文40余篇，申請/授權(quán)專利30余項(xiàng)，主導(dǎo)和參與制訂團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)4項(xiàng)。
山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“中晶芯源”）于2023年5月19日在山東省濟(jì)南市歷城區(qū)注冊成立，注冊資本人民幣2億元，是廣州南砂晶圓半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“南砂晶圓”）全資子公司。公司位于濟(jì)南智能傳感器產(chǎn)業(yè)園南區(qū)（歷城區(qū)彩石街道虎山路889號），園區(qū)占地面積165畝、建筑面積17萬平方米，擁有完善的生產(chǎn)、研發(fā)、辦公和配套生活設(shè)施。
中晶芯源“8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”規(guī)劃投資15億元，打造中國最大的8英寸碳化硅單晶襯底生產(chǎn)基地。項(xiàng)目是南砂晶圓實(shí)現(xiàn)“提質(zhì)上量、換道超車、跨越發(fā)展”戰(zhàn)略、打造國際一流碳化硅單晶襯底供應(yīng)商的重要舉措。
公司技術(shù)來源于中國碳化硅單晶襯底技術(shù)發(fā)源地--山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，基地設(shè)有山東大學(xué)研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地和晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)化基地，與山東大學(xué)建立了深度產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系。作為山東省、濟(jì)南市重點(diǎn)支持的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈骨干企業(yè)，公司將通過持續(xù)創(chuàng)新成為全球馳名的碳化硅襯底供應(yīng)商，助力濟(jì)南市成為國家級碳化硅產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。
8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
公司生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的微管密度、螺位錯(cuò)密度和層錯(cuò)可達(dá)到0、基平面位錯(cuò)密度≤200cm-2，技術(shù)指標(biāo)處于國際領(lǐng)先地位。公司主營產(chǎn)品包括8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣碳化硅襯底及晶體。碳化硅單晶是寬帶隙半導(dǎo)體材料的典型代表，具有禁帶寬、熱導(dǎo)率大等優(yōu)越的物理性質(zhì)，具有耐高溫、耐高壓、抗輻照、高頻、高效的特性，已獲得廣泛應(yīng)用。
導(dǎo)電型 SiC 襯底主要用于高電壓大電流的電力電子器件，包括肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等；半絕緣SiC襯底主要用于微波射頻器件，如高電子遷移率晶體管(HEMT)，具有大功率密度、耐高溫、抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。
一、組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位：
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司
山東華光光電子股份有限公司
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院
山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.jycsgw.cn）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
協(xié)辦支持：
山東硅酸鹽學(xué)會(huì)新材料專委會(huì)
濟(jì)南晶谷研究院
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司
北京中電科電子裝備有限公司
江蘇才道精密儀器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顧問委員會(huì)：
陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風(fēng)益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀(jì)美
大會(huì)主席：張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲
大會(huì)副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華
程序委員會(huì)：
李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊?xí)匝?黎大兵 孫濤 宋慶文 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強(qiáng) 張進(jìn)成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學(xué)林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 宋慶文 韓吉?jiǎng)?黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬
組織委員會(huì)：
李樹強(qiáng) 李強(qiáng) 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 劉鵬 王雨雷 王?，| 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等
二、主題方向
1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用
·碳化硅晶錠激光剝離技術(shù)及其設(shè)備
·液相法碳化硅單晶生長技術(shù)
·碳化硅外延生長技術(shù)
·先進(jìn)長晶及外延碳材石墨技術(shù)
·碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)
·先進(jìn)碳化硅長晶爐及外延生長裝備
·先進(jìn)晶體缺陷檢測技術(shù)及其設(shè)備
·先進(jìn)研磨設(shè)備及先進(jìn)拋光技術(shù)
·激光退火設(shè)備及技術(shù)
·先進(jìn)刻蝕設(shè)備及技術(shù)
·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進(jìn)封裝設(shè)備
2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用
·氮化鎵單晶及外延生長技術(shù)
·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)
·超寬禁帶半導(dǎo)體單晶技術(shù)
·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備
·大尺寸金剛石單晶生長技術(shù)
·氧化鎵單晶生長技術(shù)
·氧化鎵外延及器件技術(shù)
·先進(jìn)AlN 單晶生長技術(shù)及其應(yīng)用
·Micro LED 技術(shù)
3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應(yīng)用
·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)
·半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用
·車用激光雷達(dá)技術(shù)及應(yīng)用
·光通信技術(shù)及應(yīng)用
·紅外LED及顯示照明技術(shù)
三、會(huì)議概覽
會(huì)議時(shí)間：2024年6月21-23日
會(huì)議酒店：山東·濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店
四、擬參與單位
北方華創(chuàng)、百識(shí)電子、比亞迪半導(dǎo)體、長飛半導(dǎo)體、東莞天域、東尼電子、華大半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、海思半導(dǎo)體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國星光電、基本半導(dǎo)體、江蘇宏微、晶盛機(jī)電、晶湛半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導(dǎo)體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環(huán)集團(tuán)、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導(dǎo)體、晶工半導(dǎo)體、賽爾科技、通用半導(dǎo)體、泰克科技、安儲(chǔ)科技、華林嘉業(yè)、聯(lián)盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺、瑞霏光電、中科漢達(dá)、上海央米智能、同光半導(dǎo)體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導(dǎo)新材、西門子、小鵬汽車、意法半導(dǎo)體、英飛凌、揚(yáng)杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導(dǎo)體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、廈門大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所等
五、活動(dòng)參與
1、注冊費(fèi)2800元，6月10日前注冊報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請具體請咨詢。
2、掃碼報(bào)名
掃碼完成預(yù)報(bào)名，然后再注冊繳費(fèi)
六、繳費(fèi)方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動(dòng)支付
備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
七、聯(lián)系方式
報(bào)告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會(huì)及商務(wù)合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 聯(lián)系人 ：
王先生 15811352980
八、協(xié)議酒店
1、會(huì)議酒店名稱：濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店（濟(jì)南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號）
協(xié)議價(jià)格：大床/ 標(biāo)間 含早 500元/1-2份早餐
預(yù)訂方式：
發(fā)郵件到 預(yù)訂部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
郵件模本：晶體會(huì)議，姓名，電話，房型，入住時(shí)間，退房時(shí)間
酒店銷售經(jīng)理：謝文寧15966068948
2、周邊協(xié)議酒店
