5月21日，杭州士蘭微電子股份有限公司宣布與廈門市相關國資公司簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協(xié)議》，總投資額為120億元人民幣。

根據公告，士蘭微電子擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司雙方合作在廈門市海滄區(qū)合資經營項目公司“廈門士蘭集宏半導體有限公司”，并由士蘭集宏負責建設一條以SiC-MOSEFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線，產能規(guī)模為6萬片/月。

該項目位于廈門市海滄區(qū)，計劃將分兩期建設，一期投資規(guī)模約為70億元，預計月產能為3.5萬片。第二期投資約為50億元，將在第一期的基礎上實施，建成后，新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產能力，與第一期的3.5萬片/月的產能合計形成6萬片/月的產能。

碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。針對本次投資，士蘭微電子表示，將為士蘭集宏"8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目"的建設和運營提供資金保障，有利于加快實現公司SiC功率器件的產業(yè)化，完善公司在車規(guī)級高端功率半導體領域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力。