4月8日,安建半導(dǎo)體宣布C1輪融資圓滿收官,獲得超過2億元融資,由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投,龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺,擴(kuò)建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線,擴(kuò)充銷售及其他人才團(tuán)隊(duì),增加營運(yùn)現(xiàn)金流儲備等。
安建半導(dǎo)體是一家從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售的公司,其現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET(分裂柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、高電壓的SJ-MOSFET(超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管)三條成熟的產(chǎn)品線。安建半導(dǎo)體官方消息顯示,公司擁有由香港科技大學(xué)教授、大中華區(qū)唯一一位從事硅基功率半導(dǎo)體研究的美國電子電氣工程師學(xué)會院士(IEEE Fellow)所領(lǐng)銜的業(yè)內(nèi)頂尖技術(shù)團(tuán)隊(duì)。
據(jù)悉,安建半導(dǎo)體目前已推出1200V-17mΩ SiC MOSFET,正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。
安建半導(dǎo)體指出,其早于2019年即在國內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術(shù),是國內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國產(chǎn)廠家,并完全擁有相關(guān)自主知識產(chǎn)權(quán)。
2023年9月,安建半導(dǎo)體官宣近期將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級12-inch IGBT加工平臺,也是國內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產(chǎn)廠家。
(來源:集微)