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    1. IFWS 2023前瞻│氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

      日期:2023-11-16 閱讀:488
      核心提示:第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開

       第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)主辦,廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

      本屆論壇除了重量級(jí)開、閉幕大會(huì),設(shè)有七大主題技術(shù)分會(huì),以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì),將匯聚全球頂級(jí)精英,全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。目前,“氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)”最新報(bào)告日程正式出爐,將著力聚焦最新技術(shù)發(fā)展與前沿趨勢(shì)。

      本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司、 納微朗科技(深圳)有限公司、 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司、馬爾文帕納科公司的協(xié)辦支持。屆時(shí),該分會(huì)將有北京大學(xué)教授于彤軍、 深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武洪磊、北京化工大學(xué)教授張紀(jì)才、馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理鐘明光 、鄭州大學(xué)魯正乾、南京大學(xué)教授修向前、 中微公司MOCVD工藝總監(jiān)陳耀、 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所助理研究員司志偉、蘇州大學(xué)周繼宗、深圳大學(xué)曹緣、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所方俊等科研院校知名專家及實(shí)力派企業(yè)代表共同參與,將圍繞氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)的發(fā)展分享主題報(bào)告。

      分會(huì)日程詳情如下:

      技術(shù)分論壇:氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)

      Technical Sub-Forum: Technologies for Nitride Substrate, Epitaxy Growth and Equipment

      時(shí)間:2023年11月29日08:30-12:00

      地點(diǎn):廈門國(guó)際會(huì)議中心酒店 • 大同

      Time: Nov 29, 08:30-12:00

      Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall

      協(xié)辦支持/Co-organizer:

      三光光電股份有限公司       San’an Co.,ltd

      中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司      Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China(AMEC)

      賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation

      屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

      主持人

      Moderator

        波 / SHEN Bo

      北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

      Deputy Director and Professor of School of Physics, Peking University

        科 / XU Ke

      江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

      Associate Director of Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS; President of Suzhou Nanowin Co. Ltd.

      08:25-08:30

      嘉賓致辭 / Opening Address

      08:30-08:50

      大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

      The PVT growth of large AlN bulk crystals

      于彤軍--北京大學(xué)教授

      YU Tongjun--Professor of Peking university

      08:50-09:10

      PVT法同質(zhì)擴(kuò)徑制備大尺寸氮化鋁晶體

      Preparation of Large Size AlN Crystals by PVT Homogeneous Enlargement

      武洪磊--深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)

      WU Honglei--Vice Dean,School of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University

      09:10-09:30

      半極性AlN材料及二極管制備研究

      The grwoth of semipolar AlN and its diodes

      張紀(jì)才--北京化工大學(xué)教授

      ZHANG Jicai--Professor of Beijing University of Chemical Technology

      09:30-09:50

      高分辨率X射線衍射技術(shù)在半導(dǎo)體材料分析中的應(yīng)用  

      Application of high-resolution X-ray diffraction technology in semiconductor material analysis

      鐘明光--馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理

      Eddy ZHONG--Asia Pacific Semiconductor Industry Manager, Malvern Panalytical

      09:50-10:05

      Study on nucleation of AlN Thin Films Grown by MOCVD

      魯正乾--鄭州大學(xué)

      LU Zhengqian--Zhengzhou University

      10:05-10:20

      茶歇 / Coffee Break

      10:20-10:40

      基于HVPE的氮化鎵單晶設(shè)備與工藝技術(shù)

      GaN single crystal equipment and process technology based on HVPE

      修向前--南京大學(xué)教授

      XIU Xiangqian--Professor of Nanjing University

      10:40-11:00

      High Quality GaN-based HEMTs Grown on 8” Si Substrate Using Single Wafer MOCVD Platform

      陳耀--中微公司MOCVD工藝總監(jiān)  

      CHEN Yao--Director of MOCVD Process Technology,Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China(AMEC)

      11:00-11:20

      氮化鎵同質(zhì)外延中的雪崩擊穿特性Avalanche breakdown characteristics in homogeneous epitaxy of GaN

      冀 東--香港中文大學(xué)(深圳)助理教授

      JI Dong--Assistant Professor of The Chinese University of HONGKONG, Shenzhen

      11:20-11:35

      助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

      Research progress of GaN growth by Na Flux

      司志偉--中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所助理研究員

      SI Zhiwei--Assistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

      11:35-11:50

      基于雙層石墨烯的高質(zhì)量GaN薄膜的外延生長(zhǎng)

      Epitaxial growth of high-quality GaN films based on Bilayer graphene

      周繼宗--蘇州大學(xué)

      ZHOU Jizong--Soochow University

      11:50-12:05

       

       

      GaN:Mg薄膜金屬調(diào)制外延中周期占空比的影響

      The Effect of Periodic Duty Cyclings in metal-Modulated Epitaxy on GaN:Mg Film

      方俊--中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

      FANG Jun--Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

       (備注:本場(chǎng)會(huì)議日程仍在調(diào)整中,僅供參考,最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)?。?/span>

      部分嘉賓簡(jiǎn)介

      沈波

      沈波

      北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授,,分會(huì)程序委員會(huì)專家

      沈波,北京大學(xué)教授、北京大學(xué)理學(xué)部副主任。曾任國(guó)家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長(zhǎng)?,F(xiàn)為國(guó)家十四五計(jì)劃 “新型顯示和戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料” 重點(diǎn)專項(xiàng)專家組副組長(zhǎng)兼第三代半導(dǎo)體方向?qū)<医M組長(zhǎng),并擔(dān)任國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長(zhǎng)。1995年迄今一直從事GaN基第三代半導(dǎo)體材料、物理和器件研究,在GaN基薄膜和量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長(zhǎng)、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 GaN基射頻和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國(guó)內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后與華為、京東方、彩虹集團(tuán)、北方華創(chuàng)、廣東光大集團(tuán)等開展技術(shù)合作, 部分成果實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。先后獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和教育部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

      徐科

      徐科

      中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員,,分會(huì)程序委員會(huì)專家

      徐科,中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長(zhǎng)、研究員,江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)。一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、相關(guān)材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長(zhǎng),在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長(zhǎng)出非極性m面GaN;系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長(zhǎng)機(jī)理,氮化物的極性選擇、極性控制,闡明了極性對(duì)氮化銦(InN)生長(zhǎng)的特殊影響,是國(guó)際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一;近年來重點(diǎn)開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長(zhǎng)研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究,研發(fā)出可以連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)GaN單晶襯底的HVPE系統(tǒng),開發(fā)出高質(zhì)量完整2英寸單晶氮化鎵襯底,并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn);組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測(cè)試技術(shù)與裝備研制、微納尺度原位加工與測(cè)試技術(shù)的融合,并用于半導(dǎo)體中單個(gè)缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究。承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金、973重大研究計(jì)劃、863項(xiàng)目、科技部國(guó)際合作項(xiàng)目、中科院裝備研制項(xiàng)目、江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)、發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目等。

      黎大兵

      黎大兵

      中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員,分會(huì)程序委員會(huì)專家

      黎大兵,中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員。主要研究領(lǐng)域?yàn)镚aN半導(dǎo)體材料與器件。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國(guó)家自然科學(xué)基金、中國(guó)科學(xué)院科研項(xiàng)目10余項(xiàng)。曾獲中國(guó)科學(xué)院優(yōu)秀導(dǎo)師、吉林省青年領(lǐng)軍人才、吉林省第5批拔尖創(chuàng)新人才、中國(guó)科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)優(yōu)秀會(huì)員、中國(guó)科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)、吉林省自然科學(xué)學(xué)術(shù)成果獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)(排名第一)、吉林省優(yōu)秀海外歸國(guó)人才優(yōu)秀獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)和榮譽(yù)。擔(dān)任《Scientific Reports》、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》、《發(fā)光學(xué)報(bào)》編委,中國(guó)金屬學(xué)會(huì)寬禁帶委員會(huì)委員,OSA高級(jí)會(huì)員。在Physical Review Letters、Advanced Materials,Light:Science & Applications,Applied Physics Letters等國(guó)際期刊上等發(fā)表SCI論文50余篇,申請(qǐng)發(fā)明專利十多項(xiàng)。

      畢文剛

      畢文剛

      江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng),分會(huì)程序委員會(huì)專家

      畢文剛,江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)。美國(guó)加州大學(xué)圣地亞哥分校電氣與計(jì)算機(jī)工程系博士。曾先后在美國(guó)惠普(HP)實(shí)驗(yàn)室、安捷倫(Agilent)實(shí)驗(yàn)室、飛利浦Lumileds 公司擔(dān)任資深科學(xué)家,NNCrystal US Corporation/納晶科技股份有限公司擔(dān)任副總經(jīng)理及董事會(huì)董事等職務(wù),主持前沿技術(shù)研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化。長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料,量子點(diǎn)超晶格光電器件,固態(tài)照明和量子點(diǎn)顯示領(lǐng)域的前沿科技研究及成果轉(zhuǎn)化。以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化為終極目標(biāo),領(lǐng)導(dǎo)和參與過多項(xiàng)大型科研項(xiàng)目, 并組建和培養(yǎng)了一批科技中堅(jiān)力量。

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      吉林大學(xué)教授,分會(huì)程序委員會(huì)專家

      張?jiān)礉执髮W(xué)教授、博士生導(dǎo)師,教育部重大人才工程特聘教授,教育部新世紀(jì)人才,中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)委員。曾長(zhǎng)期在德國(guó)和日本從事寬禁帶半導(dǎo)體科學(xué)研究工作。2006年2月至2007年2月,德國(guó)德累斯頓工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理研究所洪堡學(xué)者(Humboldt fellow)。2008年8月至2010年3月日本東北大學(xué)金屬材料研究所JST-CREST研究員。2010年4月至2012年5月日本東北大學(xué)金屬材料研究所日本學(xué)術(shù)振興會(huì)外國(guó)人特別研究員(JSPS fellow)。主要研究方向涉及氮化物半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)、物理特性及相關(guān)器件研究。氧化物材料的外延生長(zhǎng)、物理特性及應(yīng)用研究。新型光電子器件研究。該方面工作主要是開展石墨烯和無(wú)機(jī)鈣鈦礦等新穎材料與寬帶半導(dǎo)體材料結(jié)合研究,構(gòu)筑新型光電子器件等。承擔(dān)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973項(xiàng)目)、吉林省重大科技攻關(guān)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目等多個(gè)項(xiàng)目。

      楊敏

      楊敏

      江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官,分會(huì)程序委員會(huì)專家

      楊敏,江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學(xué)家。博士畢業(yè)于英國(guó)哈德斯菲爾德大學(xué),博士畢業(yè)后先后在牛津大學(xué)和劍橋大學(xué)化學(xué)系任博士后研究員?;貒?guó)前曾就職于英國(guó)UCL大學(xué),任終身副教授、博導(dǎo)。2018年加入江蘇南大光電材料股份有限公司。

      于彤軍

      于彤軍

      北京大學(xué)教授

      于彤軍,北京大學(xué)物理學(xué)院教授。長(zhǎng)期從事 GaN 基寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)光材料、物理和器件研究,在氮化物納米異質(zhì)外延生長(zhǎng)機(jī)理研究、缺陷和應(yīng)力控制、AlGaN 深紫外發(fā)光偏振光學(xué)特性的機(jī)理和光場(chǎng)調(diào)控方面取得一系列成果。2016年起開展AlN單晶PVT設(shè)備建設(shè)和晶體生長(zhǎng)研究,實(shí)現(xiàn)了PVT法2英寸AlN晶體生長(zhǎng)。

      武洪磊

      武洪磊

      深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)

      武洪磊,深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備及相關(guān)器件研究,設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)寬禁帶半導(dǎo)體材料-氮化鋁晶體的專用生長(zhǎng)爐,并形成了具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的氮化鋁晶體生長(zhǎng)技術(shù)體系,同時(shí)進(jìn)行了器件驗(yàn)證。

      張紀(jì)才

      張紀(jì)才

      北京化工大學(xué)教授

      張紀(jì)才,北京化工大學(xué)教授。曾先后在以色列理工學(xué)院、日本名古屋工業(yè)大學(xué)、日本三重大學(xué)從科研工作,長(zhǎng)期從事III族氮化物半導(dǎo)體材料和器件研究。

      修向前

      修向前

      南京大學(xué)教授

      修向前,南京大學(xué)教授。曾留學(xué)日本電氣通信大學(xué),先后在香港中文大學(xué)、美國(guó)Grinnell大學(xué)等訪問研究。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導(dǎo)體襯底材料與設(shè)備以及III族氮化物納米結(jié)構(gòu)材料與器件等的研究和應(yīng)用。2017年,主持的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備”獲得立項(xiàng)。曾主持/參與863計(jì)劃、973、國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金等項(xiàng)目。已獲得授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)(第一發(fā)明人20余項(xiàng)),申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)。相關(guān)研究成果“III族氮化物半導(dǎo)體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學(xué)校科學(xué)研究?jī)?yōu)秀成果獎(jiǎng)(科學(xué)技術(shù))”自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng),本人排名第二。

      陳耀

      陳耀

      中微公司MOCVD工藝總監(jiān)

      陳耀,中微公司MOCVD工藝技術(shù)總監(jiān),博士期間主要從事GaN材料的生長(zhǎng)與特性研究。2011年至2014年在上海藍(lán)光科技有限公司擔(dān)任外延經(jīng)理,主要負(fù)責(zé)LED產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)。2014年加入中微公司,主要從事中微公司MOCVD產(chǎn)品的工藝開發(fā), 參與開發(fā)的MOCVD產(chǎn)品包括Prismo D-BLUE®、Prismo A7®、Prismo A8®、Prismo PD5® 和 Prismo UniMax®。

      鐘明光

      鐘明光 

      馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理

      鐘明光,馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理。曾任臺(tái)灣明志科技大學(xué)及臺(tái)灣東海大學(xué) X-Ray專題講師。在馬爾文帕納科任職超過20年,一直從事半導(dǎo)體行業(yè)分析設(shè)備的應(yīng)用與研究,發(fā)表多篇 X-Ray 應(yīng)用于SiGe材料的分析技術(shù)文章,精通X射線衍射及X射線熒光在第一代、第二代及第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的分析技術(shù)。

      司志偉

      司志偉    

      中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所助理研究員

      更多論壇進(jìn)展信息,敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)!

      附論壇詳細(xì)信息:

      會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日

      會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門國(guó)際會(huì)議中心

      主辦單位:

      廈門市人民政府

      廈門大學(xué)

      第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

      中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

      承辦單位:

      廈門市工業(yè)和信息化局

      廈門市科學(xué)技術(shù)局

      廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)

      惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院

      北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

      論壇主題:低碳智聯(lián)· 同芯共贏

      程序委員會(huì) :

      程序委員會(huì)主席團(tuán)

      主席:

      張   榮--中國(guó)科學(xué)院院士,廈門大學(xué)黨委書記、教授

      聯(lián)合主席:

      劉   明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員

      顧   瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授

      江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

      李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員

      張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

      沈   波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

      徐   科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

      邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)

      盛   況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

      張   波--電子科技大學(xué)教授

      陳   敬--香港科技大學(xué)教授

      徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

      吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授

      張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

      Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授

       

      日程總覽:
      日程總覽1116
      備注:更多同期活動(dòng)正在逐步更新中!
       
      注冊(cè)參會(huì):
      注冊(cè)參會(huì)

      備注:11月15日前注冊(cè)報(bào)名,享受優(yōu)惠票價(jià)!

      *中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

      *學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

      *會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

      *若由于某些原因,您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì),可辦理退款事宜,組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)。

      *IFWS相關(guān)會(huì)議:碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù),氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù),碳化功率器件及其封裝技術(shù)I、Ⅱ,氮化鎵功率電子器件,氮化鎵射頻電子器件,超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ;

      *SSL技術(shù)會(huì)議:光品質(zhì)與光健康醫(yī)療技術(shù),Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù),半導(dǎo)體照明芯片、封裝及光通信技術(shù),氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù),光農(nóng)業(yè)與生物技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ;

      *IFWS會(huì)議用餐包含:28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐;

      *SSL會(huì)議用餐:27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。

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      白老師

      010-82387600-602

      papersubmission@china-led.net

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      張女士

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      zhangww@casmita.com

      賈先生

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      余先生

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