IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種高壓高功率半導(dǎo)體器件，其巨大功率密度和高電壓能力使其在現(xiàn)代電力電子裝置和高效能電動(dòng)汽車(chē)上應(yīng)用廣泛。由于其在大電流和高電壓下的性能，IGBT已逐漸取代MOSFET成為主要的功率開(kāi)關(guān)。

隨著全球新能源汽車(chē)市場(chǎng)不斷擴(kuò)大，IGBT市場(chǎng)需求也在增加。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前我國(guó)每年IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為100億人民幣，市場(chǎng)增長(zhǎng)快速。雖然IGBT行業(yè)發(fā)展前景廣闊，但是其仍面臨著一些挑戰(zhàn)，如產(chǎn)業(yè)鏈短板、技術(shù)水平較低、缺乏國(guó)際品牌影響力等。

產(chǎn)業(yè)鏈不完善，是IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一大挑戰(zhàn)。IGBT產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，需要完整的產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)配套。我國(guó)雖然已建成世界上最大的IGBT基礎(chǔ)材料廠(chǎng)，但是在上游領(lǐng)域，如多晶硅、基板等方面，產(chǎn)業(yè)鏈尚不完整。同時(shí)在下游市場(chǎng)，如新能源汽車(chē)電機(jī)控制、電力電子、高速鐵路等領(lǐng)域中，也需要IGBT相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的支持。

技術(shù)水平較低也是IGBT產(chǎn)業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)之一。雖然我國(guó)在IGBT領(lǐng)域投入巨資，在一些技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)取得顯著的成果，但是在某些方面，如退火等技術(shù)方面，仍存在一定的瓶頸。同時(shí)，我國(guó)的IGBT研發(fā)與國(guó)際領(lǐng)先水平相比還有一定的差距，需要進(jìn)一步加強(qiáng)研發(fā)投入，提高技術(shù)水平。

缺乏國(guó)際品牌影響力也限制了IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。雖然我國(guó)IGBT企業(yè)數(shù)量眾多，但是真正具有國(guó)際影響力的品牌寥寥無(wú)幾。目前我國(guó)一些知名品牌，如億光、華虹等，雖然在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)頗有知名度，但是在國(guó)際市場(chǎng)上，其品牌影響力還有待提升。

盡管IGBT產(chǎn)業(yè)面臨著挑戰(zhàn)，但其也充滿(mǎn)了機(jī)遇。如今，IGBT在交通運(yùn)輸、軌道交通、新能源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，未來(lái)IGBT市場(chǎng)需求還將不斷增加。同時(shí)，我國(guó)在這些領(lǐng)域中的投入也將會(huì)不斷加大，為IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的機(jī)遇。

在面臨挑戰(zhàn)，抓住機(jī)遇的背景下，IGBT產(chǎn)業(yè)企業(yè)需要加強(qiáng)合作，共同應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)。同時(shí)要積極加強(qiáng)自身技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，提高自身的技術(shù)水平。此外，還可以通過(guò)與國(guó)際品牌企業(yè)的合作，提高自身在國(guó)際市場(chǎng)的影響力。

IGBT產(chǎn)業(yè)是一個(gè)前途光明的市場(chǎng)，它的發(fā)展為我國(guó)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。我們需要在面臨挑戰(zhàn)的同時(shí)，抓住機(jī)遇，推動(dòng)IGBT產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展，為我國(guó)電子制造業(yè)的發(fā)展作出更加積極的貢獻(xiàn)。

值得關(guān)注的是，2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20-21日在上海舉辦。

為推動(dòng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)等單位，將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì))期間，在上海世博展覽館舉辦“2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇”。隨著新材料技術(shù)的不斷突破和在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產(chǎn)品、一代產(chǎn)業(yè)”。屆時(shí)我們將邀請(qǐng)到產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)專(zhuān)家代表，聚焦前沿技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，暢談產(chǎn)業(yè)鏈之間的協(xié)同創(chuàng)新與合作，攜手向前，共享共贏(yíng)。

主辦單位：

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)

勵(lì)展博覽集團(tuán)

承辦單位：

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

報(bào)告議題（擬）：

參會(huì)/商務(wù)咨詢(xún)

賈先生（Frank）

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張女士（Vivian）

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