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業(yè)內(nèi)領(lǐng)先!科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

日期:2022-06-20 閱讀:500
核心提示:科友半導(dǎo)體宣布,以其自主設(shè)備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實(shí)現(xiàn)突破,達(dá)到32.146mm,業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:6月17日,科友半導(dǎo)體宣布,以其自主設(shè)備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實(shí)現(xiàn)突破,達(dá)到32.146mm,業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。此外,其自主研發(fā)的SiC長(zhǎng)晶爐(感應(yīng))已有99%的部件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
 
 
據(jù)悉,科友半導(dǎo)體從2018年成立伊始就致力于半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新,目前,他們自主研發(fā)的SiC長(zhǎng)晶爐(感應(yīng))已有99%的部件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
 
2021年11月,哈爾濱新區(qū)報(bào)報(bào)道曾指出,科友半導(dǎo)體已完成6英寸第三代半導(dǎo)體襯底制備,正在進(jìn)行8英寸襯底研制。
 
 
在產(chǎn)業(yè)化方面,2021年10月,科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目一期在建的生產(chǎn)車間大樓封頂并進(jìn)行二次結(jié)構(gòu)砌筑。據(jù)悉,一期生產(chǎn)車間大樓建成后將鋪設(shè)100臺(tái)套設(shè)備。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,最終形成年產(chǎn)碳化硅襯底近10萬(wàn)片,PVT-SiC晶體生長(zhǎng)成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺(tái)套。
 
科友半導(dǎo)體成立于2018年,主要攻關(guān)第三代半導(dǎo)體材料和裝備,在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術(shù)的基礎(chǔ)上,不斷向產(chǎn)業(yè)化方向邁進(jìn),目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系,具備規(guī)?;a(chǎn)條件。
 
今年5月20日,科友半導(dǎo)體發(fā)文稱,隨著2020年開(kāi)工的科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目一期工程逐漸收尾完工,以科友自有技術(shù)為依托的年產(chǎn)10萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體襯底材料生產(chǎn)線將于今年8月投產(chǎn)。
 
科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目由哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司和哈爾濱新區(qū)共同出資建設(shè),項(xiàng)目占地4.5萬(wàn)平方米,總投資10億元,將打造包括技術(shù)開(kāi)發(fā)、裝備設(shè)計(jì)、襯底制造等在內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈的科技成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究集聚區(qū);以哈爾濱為總部,打造國(guó)家級(jí)第三代半導(dǎo)體裝備與材料創(chuàng)新中心,通過(guò)國(guó)際合作、創(chuàng)新引智,改善產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展半導(dǎo)體核心材料產(chǎn)業(yè)。

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