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Yole:長(zhǎng)電、通富上榜2021年先進(jìn)封裝支出top7

日期:2022-03-08 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫閱讀:342
核心提示:市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Dveloppement數(shù)據(jù)顯示,2021年全球3D封裝前七大企業(yè)資本支出合計(jì)達(dá)119億美元,英特爾、臺(tái)積電、日月光分別排名前三
市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement數(shù)據(jù)顯示,2021年全球3D封裝前七大企業(yè)資本支出合計(jì)達(dá)119億美元,英特爾、臺(tái)積電、日月光分別排名前三,中國大陸長(zhǎng)電科技、通富微電上榜。
 
 
 公司到2021年先進(jìn)性能封裝資本支出。資料來源:Yole Developpement。
 
市場(chǎng)分析師表示,這旨在幫助這些公司服務(wù)于2021年價(jià)值約27.4億美元的此類封裝市場(chǎng)。到2027年,該市場(chǎng)的價(jià)值將以19%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。Yole預(yù)測(cè),屆時(shí)先進(jìn)封裝市場(chǎng)的價(jià)值將在當(dāng)年達(dá)到78.7億美元。
 
2021 年,英特爾是投資35億美元支持Foveros和EMIB(嵌入式多芯片互連橋)技術(shù)的最大投資者。Foveros是英特爾的3D芯片堆疊技術(shù),包括在有源硅中介層上堆疊芯片。它的2.5D封裝使用基于55微米凸塊間距的EMIB。Foveros和EMIB的結(jié)合催生Co-EMIB(Foveros(有源 Si 中介層)+ Embedded Multi- die 互連橋),它已用于Ponte Vecchio圖形處理器。
 
另一個(gè)領(lǐng)先者是代工臺(tái)積電,它在2021年在封裝資本支出上花費(fèi)了30.5億美元。
 
臺(tái)積電正在為3D片上系統(tǒng)組件定義新的系統(tǒng)級(jí)路線圖和技術(shù)。其CoWoS平臺(tái)提供硅中介層,而其LSI平臺(tái)是EMIB的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
 
日月光斥資 20 億美元資本支出,是最大也是唯一一家試圖與代工廠和集成設(shè)備制造商競(jìng)爭(zhēng)的純封裝公司。憑借其FoCoS(扇出芯片基板)產(chǎn)品,日月光也是目前唯一具有超高密度扇出解決方案的 OSAT(包半導(dǎo)體組裝和測(cè)試)。
 
排名第四的三星資本支出為15億美元,其擁有類似于CoWoS-S(基板上晶圓上的芯片)的I-Cube技術(shù)。三星是 3D 堆疊內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者之一,提供高帶寬內(nèi)存 (HBM) 和 3DS。它的 X-Cube 將使用混合鍵合互連。
 
安靠、長(zhǎng)電科技和通富微電分別以7.8億美元、5.93億美元、4.87億美元排名第五、第六、第七。目前來看,OSAT的財(cái)務(wù)和前端能力無法在先進(jìn)封裝競(jìng)賽中與英特爾、臺(tái)積電和三星等大公司并駕齊驅(qū)。
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