近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，“氮化鎵功率器件”專場上，西交利物浦大學王惟生帶來了題為”使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應用的MIS-HEMT“的主題報告，GaN MIS-HEMTs、具有Vth調制的GaN比較器、高溫下的單片GaN比較器、單片GaN MIS-HEMT鋸齒波發(fā)生器、用于GaN智能電源IC的單片PWM電路、用于GaN智能電源IC的單片PWM電路、帶柵極的單片集成DC-DC轉換器驅動程序等角度分享了最新研究成果。報告指出，基于GaN MIS-HEMT集成平臺，基本集成電路模塊是在高溫條件下制造和驗證。

在 DCFL的基礎上，制作單片GaN比較器，當差分對是D模式和E模式。D型負載對 Vth 調制的影響也是分析了。電路在高溫下輸出穩(wěn)定，性能更佳與 Vth 調制。GaN MIS-HEMT 比較器電路展示了 IC 的靈活性和適用性。它們具有柵極驅動器、控制和保護模塊應用的潛力。

 

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