近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

半導(dǎo)體是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，是國(guó)家命脈產(chǎn)業(yè)。物聯(lián)網(wǎng)、新能源、新基建等新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重依賴半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體材料制備則是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。第三代半導(dǎo)體材料是新一代信息技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要支撐。期間，”碳化硅襯底與外延“論壇上，哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授, 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)趙麗麗做了題為“低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。

 

碳化硅晶體材料制備涉及設(shè)備、技術(shù)、質(zhì)量、成本等多方面的問(wèn)題與挑戰(zhàn)。晶體材料制備還面臨一些問(wèn)題。比如晶體材料制備條件極為苛刻，對(duì)設(shè)備要求極高，缺乏設(shè)計(jì)，制造能力的積累。晶體生長(zhǎng)需要高溫，甚至達(dá)2300℃，無(wú)法實(shí)現(xiàn)有效、直觀檢測(cè)，難以優(yōu)化反饋。成本高昂，生長(zhǎng)周期長(zhǎng)，傳統(tǒng)’試錯(cuò)式”，“暗箱式”技術(shù)改進(jìn)成本高，耗時(shí)長(zhǎng)，效率低。屬新興戰(zhàn)略行業(yè)、材料、裝備和技術(shù)受發(fā)達(dá)國(guó)家禁運(yùn)管控，國(guó)外大廠壟斷。

 

報(bào)告指出，面向半導(dǎo)體晶體材料制備及高端設(shè)備自主研制的迫切需求，研究了應(yīng)用全過(guò)程、全動(dòng)態(tài)的數(shù)值模擬，可視化復(fù)雜反應(yīng)，多相工藝過(guò)程。建立模型、精準(zhǔn)揭示晶體生長(zhǎng)參數(shù)、設(shè)備環(huán)境，工藝過(guò)程之間相互作用。解析PVT法晶體材料的制備過(guò)程，解決碳化硅、氮化鋁等材料制備效率，界面調(diào)控等難題。報(bào)告還具體介紹了缺陷控制解決辦法、成本控制等內(nèi)容。
 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）