近日，專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)研發(fā)應(yīng)用的珠海鎵未來(lái)科技（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）宣布獲得數(shù)千萬(wàn)元A輪融資。本輪投資由珠?？苿?chuàng)投領(lǐng)投，大橫琴創(chuàng)新發(fā)展有限公司、禮達(dá)基金跟投。境成資本作為天使輪領(lǐng)投方，本輪繼續(xù)追加投資。

 

資料顯示，鎵未來(lái)成立于2020年10月，致力于提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案。公司致力于第三代半導(dǎo)體GaN-on-Si器件技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先，通過(guò)高起點(diǎn)、強(qiáng)隊(duì)伍等，實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化，推動(dòng)GaN器件的技術(shù)的世界領(lǐng)先，并且通過(guò)電源系統(tǒng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)能源的綠色、高效利用。

 

目前，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體也逐漸為人熟知，其可以與第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)互補(bǔ)，對(duì)節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、催生新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)將發(fā)揮重要作用。

 

在團(tuán)隊(duì)方面，鎵未來(lái)的核心團(tuán)隊(duì)由IEEE Fellow吳毅鋒博士領(lǐng)銜，深港微電子學(xué)院創(chuàng)始人及前華為海思化合物半導(dǎo)體創(chuàng)始成員組成，具有豐富的產(chǎn)業(yè)化研發(fā)和市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)。