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英飛凌:SiC、GaN功率元件5年內(nèi)成本將逐步降低

日期:2021-08-09 來(lái)源:集微網(wǎng)閱讀:313
核心提示:SiC、GaN相關(guān)寬能隙(WBG)功率元件價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)很大的降幅,但成本仍是打開(kāi)市場(chǎng)的關(guān)鍵
英飛凌大中華區(qū)電源與感測(cè)系統(tǒng)事業(yè)部協(xié)理陳志星日前表示,SiC、GaN等新材料產(chǎn)品,公司旗下已有CoolSiC、CoolGaN系列產(chǎn)品線走入量產(chǎn),未來(lái)從目前主流的6英寸廠轉(zhuǎn)到8英寸晶圓廠生產(chǎn)則是國(guó)際大廠看好的共同趨勢(shì)。
 
據(jù)digitimes報(bào)道,陳志星指出,SiC、GaN相關(guān)寬能隙(WBG)功率元件價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)很大的降幅,但成本仍是打開(kāi)市場(chǎng)的關(guān)鍵,SiC/GaN兩者之間價(jià)差不大,但與Si(硅)產(chǎn)品之間的落差確實(shí)存在,英飛凌則預(yù)期,在經(jīng)濟(jì)規(guī)模、產(chǎn)能投資、良率控制等推進(jìn)下,成本可望有效下降,預(yù)期3~5年后有機(jī)會(huì)把成本降到跟硅基元件相仿的程度,后段制程技術(shù)也持續(xù)推進(jìn)。
 
從英飛凌的產(chǎn)能規(guī)劃上來(lái)看,該公司領(lǐng)先業(yè)界率先以12英寸晶圓廠生產(chǎn)硅基功率元件,SiC材料已經(jīng)問(wèn)世20多年,GaN則是近年來(lái)較受重視,SiC以往以2、4英寸廠生產(chǎn),現(xiàn)今走到主流的6英寸,未來(lái)走到8英寸廠生產(chǎn)是相當(dāng)正常的。
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