以碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)方興未艾，已經(jīng)成為未來國家競爭的戰(zhàn)略制高點，被業(yè)內(nèi)稱為“超級風(fēng)口”。半月談記者走訪調(diào)研多家第三代半導(dǎo)體企業(yè)了解到，我國在這一領(lǐng)域與國際先進水平差距并不大，但由于產(chǎn)業(yè)發(fā)展缺乏強有力的統(tǒng)籌，一些地方掀起投資熱潮，競相招商、無序競爭情況嚴(yán)重。

 

一些受訪權(quán)威專家和業(yè)內(nèi)人士指出，應(yīng)在“十四五”相關(guān)規(guī)劃中加強頂層設(shè)計，加大核心技術(shù)攻關(guān)力度，充分利用市場優(yōu)勢建立良性發(fā)展的產(chǎn)業(yè)格局。

 

以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)為5G、毫米波通訊、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵核心器件，成為國家競爭的戰(zhàn)略制高點，也是未來國際競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域。

 

中科院院士郝躍等專家認(rèn)為，我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展水平與國際先進水平差距不大，如能提前布局，力爭在“十四五”期間實現(xiàn)突破，完全可實現(xiàn)彎道超車，不僅不會受制于人，還將大大促進5G等產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

 

事實上，發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展意義重大。相比以硅為材料的傳統(tǒng)半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體可以成為國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口，集中力量完全有可能在3~5年內(nèi)形成與國際并跑的態(tài)勢。北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司董事長李百泉說，相比傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體高達(dá)千億級別的投資，第三代半導(dǎo)體投資強度小，但戰(zhàn)略意義大，最有可能實現(xiàn)彎道超車。

 

我國高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體有著與國際先進水平并跑起步的特征。第三代半導(dǎo)體有很多優(yōu)異性能，在汽車、新能源、航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。加快培育和發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是推進產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級、加快經(jīng)濟發(fā)展方式轉(zhuǎn)變的重大舉措，也能提振內(nèi)需、推動國內(nèi)國際雙循環(huán)相互促進。伴隨新能源汽車、軌道交通、航空航天、5G通訊等產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的國內(nèi)應(yīng)用需求有望爆發(fā)。

 

 

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于爆發(fā)前夜，但行業(yè)內(nèi)仍存在多個挑戰(zhàn)，為高質(zhì)量發(fā)展埋下隱患，甚至可能導(dǎo)致行業(yè)發(fā)展進入誤區(qū)，錯失歷史性機遇。

 

第一是行業(yè)高端產(chǎn)品應(yīng)用不足。我國自主的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用不足，難以形成產(chǎn)業(yè)循環(huán)。國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，國內(nèi)不少第三代半導(dǎo)體的高端應(yīng)用為進口產(chǎn)品，例如車載芯片中關(guān)鍵的三電控制器、自動駕駛汽車所用的計算芯片、激光雷達(dá)等。我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)水平與國際差距不大，但由于部分應(yīng)用端“崇洋”心態(tài)固化，很難單純靠市場推動產(chǎn)品應(yīng)用，亟需政府強有力的引導(dǎo)。

 

第二是高質(zhì)量的技術(shù)專利不足。從碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展來看，2019年我國專利排名世界第8位，多來自研究所和高校，而美國、日本等國家專利多掌握在企業(yè)手中，更易于產(chǎn)業(yè)化。國內(nèi)許多高校申請專利、發(fā)文章就結(jié)題了，這些專利很難直接轉(zhuǎn)移給企業(yè)，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力空心化。

 

第三是產(chǎn)業(yè)無序競爭嚴(yán)重，可能造成嚴(yán)重資源浪費。從省會城市到三四線城市，政府之間相互競爭企業(yè)，給土地、資源、配套，幾乎變成曾經(jīng)一哄而上、一哄而下的LED芯片產(chǎn)業(yè)了。然而，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利潤率已經(jīng)比國際水平低很多，各地仍然采用這種方式招商引資，很多企業(yè)被盲目追捧，無序發(fā)展，乏利可圖。

 

第四是缺少頂層設(shè)計。國家高度重視第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但不少紅頭文件難以落地。產(chǎn)業(yè)發(fā)展缺乏真正的頂層設(shè)計，各環(huán)節(jié)“各自為戰(zhàn)”的現(xiàn)象較為突出。地方政府的追捧最終浪費的是國家資金，如果不進行規(guī)范管理，5年內(nèi)一批企業(yè)可能會“頭破血流”，5年后大部分地區(qū)可能會“橫尸遍野”。

 

各地的招商引資和補貼，會導(dǎo)致低端競爭、產(chǎn)能過剩，資源無法集中到真正具有國際競爭潛力的支柱企業(yè)。一個項目支持幾千萬，十幾個單位承擔(dān)，不僅分散而且極易產(chǎn)生惡性競爭。企業(yè)不賺錢就無法投入研發(fā)，很容易將產(chǎn)業(yè)從高端拖垮到低端。因此，政府支持項目方式要進一步轉(zhuǎn)變，集中資源支持龍頭企業(yè)，使其盡快強大起來參與國際競爭，避免“撒胡椒面”的方式。

 

 

針對上述問題，我國應(yīng)著力在“十四五”相關(guān)規(guī)劃中加強第三代半導(dǎo)體頂層設(shè)計，加大核心技術(shù)攻關(guān)力度?？煽紤]將第三代半導(dǎo)體發(fā)展作為國家戰(zhàn)略，從政策支持、產(chǎn)業(yè)布局、發(fā)展規(guī)劃等方面對產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)加強引導(dǎo)和規(guī)范，通過財政、稅收以及資本市場支持等方式，加大對國產(chǎn)產(chǎn)品的應(yīng)用鼓勵。

 

北京大學(xué)副教授林信南認(rèn)為，碳化硅是我國必須突破的核心技術(shù)之一，亟需以應(yīng)用需求牽引、龍頭企業(yè)牽頭，通過產(chǎn)業(yè)鏈配合，高校研究所協(xié)同，進行全產(chǎn)業(yè)鏈攻關(guān)。切忌任由產(chǎn)業(yè)和地方“大煉三代半”。目前，全國已建設(shè)10多條生產(chǎn)線，有限的人才被挖來挖去，產(chǎn)能過剩問題已初露苗頭。

 

加速制定我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)揮市場引領(lǐng)作用。要用好我國廣袤市場優(yōu)勢，積極引導(dǎo)國產(chǎn)化產(chǎn)品發(fā)展，例如可要求汽車產(chǎn)品國產(chǎn)芯片的應(yīng)用比例逐漸上升，激活存量市場，拓寬增量市場。

 

進一步改善產(chǎn)業(yè)生態(tài)，在新型舉國體制下發(fā)揮共性平臺作用，協(xié)同聯(lián)動產(chǎn)業(yè)鏈上下游，著力推動創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化。與“兩彈一星”不同，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兼具戰(zhàn)略性和商品性，因此，要高度重視科研成果的產(chǎn)業(yè)化，特別是支持自主創(chuàng)新成果從技術(shù)研究向產(chǎn)品應(yīng)用轉(zhuǎn)化。

 

一方面，可以發(fā)揮我國電力電網(wǎng)、高速鐵路、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)規(guī)模優(yōu)勢，以下游市場應(yīng)用拉動上游研發(fā)制造，開展供需信息銜接、核心技術(shù)攻關(guān)、關(guān)鍵產(chǎn)品研制、產(chǎn)品集成應(yīng)用等工作。另一方面，鼓勵財政能力和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較好的地方建設(shè)第三代半導(dǎo)體IDM項目集群，推動與下游應(yīng)用規(guī)?；瘡S商對接，積極導(dǎo)入應(yīng)用端需求，拓寬自主創(chuàng)新成果的市場推廣通道，打通國產(chǎn)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，建立“設(shè)計-研發(fā)-制程-測評-認(rèn)證-集成-應(yīng)用-孵化-標(biāo)準(zhǔn)”良性循環(huán)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。（刊于《半月談內(nèi)部版》2021年第2期）

 

內(nèi)容來自新華社