11月23-25日，第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
25日下午，功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)碳化硅專場如期舉行。本屆分會(huì)由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦。
分會(huì)期間，日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會(huì)主席濱田公守，中電科五十五所教授級(jí)高工、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任柏松，廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長邱宇峰，浙江大學(xué)特聘副研究員任娜，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖，重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授曾正，華北電力大學(xué)副教授李學(xué)寶，深圳第三代半導(dǎo)體研究院研究員楊安麗等來自國內(nèi)外科研院所、企業(yè)的精英代表帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。浙江大學(xué)特聘教授，電氣工程學(xué)院院長盛況和廣東晶科電子股份有限公司董事長兼總裁肖國偉共同主持了本屆分會(huì)。
日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會(huì)主席濱田公守帶來了超窄體（UNB）MOSFET”和“接地窄而深p（GND）MOSFET”的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)“ 的主題報(bào)告，分享了最新的研究成果。
中電科五十五所高級(jí)工程師李士顏博士分享了碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展，包括當(dāng)前市場及應(yīng)用，發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢、關(guān)鍵技術(shù)等內(nèi)容，報(bào)告指出，國際上SiC電力電子器件技術(shù)處于快速發(fā)展期，快速推進(jìn)新能源汽車等領(lǐng)域的批量應(yīng)用。國基南方SiC G1DMOS技術(shù)初步建立，正在進(jìn)行650-1700V產(chǎn)品的市場推廣，提升穩(wěn)定供貨能力。
廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長邱宇峰帶來了“碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)的應(yīng)用”的主題報(bào)告，其中，報(bào)告指出，能源革命促進(jìn)了電力電子裝備在電網(wǎng)的廣泛應(yīng)用，進(jìn)而從根本上改變電網(wǎng)形態(tài)；功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展是推動(dòng)力電網(wǎng)電力電子裝備演進(jìn)關(guān)鍵因素；碳化硅器件具有高結(jié)溫、高電壓、高頻的特點(diǎn)，非常適合電網(wǎng)應(yīng)用，其廣泛應(yīng)用將推動(dòng)電網(wǎng)的電力電子化進(jìn)程；碳化硅器件已在電網(wǎng)中低壓場景得到了廣泛應(yīng)用，可提顯著升裝置效率、功率密度等關(guān)鍵指標(biāo)；高壓大功率碳化硅器件研制仍需突破電流密度、大尺寸襯底外延、低寄生參數(shù)封裝，成品率等問題。
浙江大學(xué)特聘副研究員任娜帶來了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究，分享了近期研究成果介紹，并分享了具體的SiC器件可靠性提升方法。
賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖分享了用于SiC功率器件的先進(jìn)封裝解決方案，報(bào)告指出，每片芯片面積功率密度的增加需要散熱性更好的材料；功率越大，包裝材料的載流能力越強(qiáng)；工作溫度升高導(dǎo)致可靠性挑戰(zhàn)。
重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授曾正分享了碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝測試技術(shù)的最新進(jìn)展，報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體行業(yè)涉及跨學(xué)科交叉，包括很長的產(chǎn)業(yè)鏈，是復(fù)雜的系統(tǒng)工程，環(huán)環(huán)相扣，晶圓材料、芯片制造、封裝測試、應(yīng)用集成等缺一不可；先進(jìn)封裝技術(shù)是發(fā)揮SiC器件優(yōu)異性能的關(guān)鍵；先進(jìn)測試技術(shù)是表征SiC器件電熱性能的關(guān)鍵；急需產(chǎn)-學(xué)-研的協(xié)同創(chuàng)新，人才、資本、技術(shù)和市場的有機(jī)整合。
華北電力大學(xué)副教授李學(xué)寶帶來了“高壓SiC器件封裝絕緣問題及面臨的挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告，介紹了正極性方波下封裝材料的沿面放電特性、封裝用硅凝膠在寬溫度范圍內(nèi)的絕緣特性、正極性重復(fù)脈沖電壓下電場動(dòng)態(tài)特性分析。
深圳第三代半導(dǎo)體研究院研究員楊安麗分享了抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)的研究成果。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
